据介绍，JESD239 GDDR7 是第一个运用脉幅调制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口进行高频操作的 JEDEC 规范 DRAM。其 PAM3 接口前进了高频操作的信噪比（SNR），一起前进了动力功率。使用 3 个等级（+1，0，-1）在 2 个循环上传输 3 个比特，而传统的 NRZ（不归零）接口在 2 个周期上传输 2 个比特，PAM3 供给了更高的每循环数据传输速率，来提高了功能。

  具有眼图掩蔽和过错计数器的中心独立 LFSR（线性反应移位寄存器）练习形式，可前进练习准确性，一起削减练习时刻。

  支撑 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包含支撑 2 通道形式以使体系容量加倍。

  经过整合最新的数据完好性功能，包含带实时陈述的片上 ECC（ODECC）、数据中毒、过错查看和整理以及带指令堵塞的指令地址奇偶校验（CAPARBLK），满意 RAS（可靠性、可用性、可维护性）的商场需求。

  JEDEC 董事会主席 Mian Quddus 表明：“JESD239 GDDR7 标志着高速显存规划的严重前进。跟着向 PAM3 信号的改变，显存职业有了一条新的途径来扩展 GDDR 设备的功能，并推进图形和各种高功能使用的继续不断的开展。”

  JEDEC GDDR 小组委员会主席 Michael Litt 说道：“GDDR7 是首款不只专心于带宽，并且经过整合最新数据完好性功能来满意 RAS 商场需求的 GDDR，这些功能使 GDDR 设备能够更加好地服务云游戏和核算等现有商场，并扩展到 AI。”

  IT之家从公告中得悉，AMD、美光、英伟达、三星、SK 海力士都对该规范表明了支撑。此外，三星和美光都现已拟定了下一代 GDDR7 模块的开发方案。三星的方针是 32 Gbps 速度，完成 1.6 倍的功能提高；而美光的方针也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的道路Gb+ 的显存芯片。